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本发明提供的一种原子层沉积法生长A l ScN薄膜及其制备方法，包括以下步骤：利用原子层沉积(ALD)方法生长高质量A l ScN薄膜，本发明能够减少薄膜中的缺陷，避免界面的不均匀性和缺陷使得A l ScN薄膜与基底之间的界面质量得到显著改...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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