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本发明涉及光学器件领域，具体涉及一种基于金属纳米阵列增强发光的窄带可调谐硅量子点发光二极管(Si QD‑LED)结构。所述的Si QD‑LED包括从下至上依次为金属电极层、含有金属纳米阵列的电子传输层、Si QD层、空穴传输层和空穴注入层、...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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