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本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：沟槽部；载流子存储层；氧化层，氧化层设置于沟槽部的内壁且包括第一氧化部和第二氧化部，第二氧化部设置于第一氧化部的下方，第一氧化部径向上的厚度为t1，第二氧化部径向上的厚度为t2，t1和t2满足关系...
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