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本发明公开了一种具有应力释放层的LED外延结构，包括衬底、以及依次生长于衬底之上的缓冲层、UGaN层、NGaN层、应力释放层、MQW层、EBL层和P层，所述应力释放层是由自下而上依次生长的InGaN层、停顿层和GaN盖帽层重复交叠组成的周期...
该专利属于聚灿光电科技（宿迁）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技（宿迁）有限公司授权不得商用。

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