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本发明提供了一种氧化硅膜的沉积方法，所述沉积方法包括：在待沉积的衬底上进行至少两次沉积，得到氧化硅膜；所述沉积的过程包括：将衬底加热至沉积温度，以TEOS、O<subgt;2</subgt;和He为反应源气体在衬底上进行沉积反应...
该专利属于上海芯物科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯物科技有限公司授权不得商用。

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