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本发明的目的在于提供一种基于负量子电容效应的新型弱光探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。该弱光电探测器中，以氧化硅为衬底，二维半金属材料石墨烯作为负量子电容局部增强栅，其上沉积一层栅介质层，再上以二维半导体材料作为导电沟道，再辅以源...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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