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本发明公开了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。紫外发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层和P型接触层，所述电子阻挡层包...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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