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一种基于SiC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁的仿真方法，其步骤：a、获得所针对建模的SiC‑VDMOSFET器件元胞的结构参数及掺杂参数；b、对三维器件模型合理划分网格；c、采用TCAD中SiC材料专用的物理模型对所建立的三维器件模型先...
该专利属于上海精密计量测试研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海精密计量测试研究所授权不得商用。

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