温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种变密度氮化硅陶瓷构件的制备方法，变密度是通过调控氮化硅陶瓷配方实现。其中，高致密度陶瓷的配方为：氮化硅粉70‑80％、硅粉3‑6％、蓝晶石粉1‑5％、氧化硅粉3‑5％，氧化铝粉3‑6％、氧化钇粉3‑6％、氮化硼粉3‑5％；中等...
该专利属于航天特种材料及工艺技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过航天特种材料及工艺技术研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。