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本发明公开了一种点状元胞结构的SGT MOS器件，所述器件包括：衬底、形成于衬底上方的漂移区、形成于漂移区内的深沟槽、形成于漂移区内的浅沟槽；在所述SGT MOS器件的竖直截面上，所述深沟槽间隔排列，所述深沟槽内淀积源极多晶层，所述源极多晶...
该专利属于无锡龙夏微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡龙夏微电子有限公司授权不得商用。

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