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本发明提供了一种具备空穴供给结构的深紫外发光二极管，包括沿生长方向依次层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、空穴供给层、电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，空穴供给层沿生长方向包括层叠设置的第一半导体层和第二半导体...
该专利属于武汉优炜芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉优炜芯科技有限公司授权不得商用。

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