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本发明提供一种图像传感器及其形成方法，通过在光电二极管表面形成复合钉扎层，靠近光电二极管的P型势垒层将靠近衬底表面的N型暗电流收集层完全耗尽，从而在N型暗电流收集层内形成一个向下的电场，以隔离开光电二极管与N型暗电流收集层，向下的电场可以有...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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