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本发明涉及一种氮化钽埋嵌式薄膜电阻晶相调控及制备方法，该埋嵌式薄膜电阻材料为氮化钽，通过磁控溅射技术在硅衬底上以纯钽靶，氮气与氩气的混合气进行溅射得到氮化钽薄膜，对溅射过程中的晶相加以调控，经实验表明，为获得接近0的TCR值可选取氮分压为5...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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