温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种碳化硅槽栅MOSFET元胞结构及其制造方法，结构包括漏极电极、元胞衬底、元胞外延层、元胞电流扩展层、元胞阱区、元胞源区、隔离介质层、源极电极，位于元胞外延层之中、为元胞电流扩展层所包围的第二沟槽，位于第二沟槽之上的第一沟槽，...
该专利属于南京第三代半导体技术创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京第三代半导体技术创新中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。