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本发明涉及直拉单晶设备技术领域，特别涉及一种氧化镓单晶的生长装置及氧化镓单晶生长方法，包括：第一温区结构和第二温区结构，所述第一温区结构包括坩埚和保温筒，所述坩埚设置在保温筒内，所述保温筒设置有保温盖，所述保温盖开设有提拉口，所述提拉口内设...
该专利属于杭州镓仁半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州镓仁半导体有限公司授权不得商用。

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