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本发明公开了一种铕、钕共掺杂的铝硅酸钡光存储发光材料及其制备方法，其中所述铕、钕共掺杂的铝硅酸钡光存储发光材料的化学式为：Ba<subgt;1.98‑x</subgt;Al<subgt;2</subgt;SiO<...
该专利属于大连东软信息学院所有，仅供学习研究参考，未经过大连东软信息学院授权不得商用。

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