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本发明公开了一种基于高功率脉冲磁控溅射的碳化硅防护涂层的制备方法，靶材选取的是SiC单靶，靶材纯度为99.99％，采用的靶基距为8cm，衬底材料为石墨片，氩气纯度达到了99.999％，镀膜有效面积为10×10cm<supgt;2<...
该专利属于中国科学院深圳先进技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院深圳先进技术研究院授权不得商用。

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