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本发明公开一种垂直腔面发射激光器外延结构。所述外延结构从下到上依次包括：衬底、缓冲层、第一高折射率差AlGaAsDBR层、第一低折射率差AlGaAsDBR层、下AlGaAsP过渡层、下AlGaInPDBR层，下AlGaInP垒层、GaInP...
该专利属于山东华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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