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本发明涉及半导体器件技术领域，为解决目前半导体器件栅极尺寸难以进一步缩小及栅极金属易坍塌的技术问题，提出一种半导体器件及其栅极制造方法、电子设备，所述方法包括：在外延片上制作出栅极凹槽并沉积钝化层后，在钝化层之上沉积第一保护层；刻蚀栅极凹槽...
该专利属于合肥欧益睿芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥欧益睿芯科技有限公司授权不得商用。

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