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本发明提供一种基于MEMS微振镜的主动垂直端面耦合器及其封装结构，该耦合器包括芯片端面耦合器及MEMS微振镜，其中，芯片端面耦合器包括包层、光波导层及基底，光波导层包覆在包层中且设置于基底上；MEMS微振镜位于基底上且与包层水平方向间隔设置...
该专利属于上海新微技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司授权不得商用。

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