温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，在外延片上对无源区和n个有源区之间进行离子注入，形成ISO隔离区；步骤S200，在外延片上去除G电极区域外部外延片上的P‑GaN层，并沉积第...
该专利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州扬杰电子科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。