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本发明公开一种单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。其制备方法，包括：S1，对单晶蓝宝石基底表面进行重构；S2，通过离子注入将催化剂前体注入经过重构的单晶蓝宝石基底；及S3，将经过离子注入后的基底放置于竖直喷淋化学气相沉积设备中，使其垂直于竖直...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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