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本申请提供了一种Ⅲ‑Ⅴ族半导体光电探测器，应用于半导体器件领域。光电探测器沿第一方向依次包括上电极层、吸收层和下电极层。上电极层和下电极层用于为吸收层提供偏置电压。吸收层用于接收光信号，根据偏置电压将光信号转换为电信号。上电极层上设置有介质...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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