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抗蚀剂底层膜形成用组合物、半导体基板的制造方法及抗蚀剂底层膜的形成方法技术
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文档序号:40540774
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一种抗蚀剂底层膜形成用组合物,含有:金属化合物;聚合物,具有下述式(1)所表示的第一结构单元及下述式(2)所表示的第二结构单元;以及溶媒。(式(1)中,R<supgt;1</supgt;为氢原子、或者经取代或未经取代的碳数1~2...
该专利属于JSR株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过JSR株式会社授权不得商用。
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