温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种基于湿法腐蚀的硅电容，其中，所述硅电容包括：硅衬底、双电容层堆叠、绝缘层、引线、焊盘；其中，所述硅衬底表面通过各向异性腐蚀得到若干行乘以若干列的四棱凸台或凹槽阵列，所述双电容层堆叠在所述凸台或所述凹槽的表面、侧壁及底面区域上...
该专利属于苏州锐光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州锐光科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。