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本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于低功函数金属的碳纳米管场效应晶体管，所述碳纳米管场效应晶体管包括衬底、碳纳米管薄膜、源漏电极、氧化物介质层及金属颗粒层；碳纳米管薄膜平铺在衬底上，源极电极和漏极电极位于碳纳米管薄膜上，在氧化物介...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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