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本发明公开了一种晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法，包括在晶体硅片绒面上生长扩散掩膜，再蚀刻开槽出电极栅线区域；然后采用一次扩散工艺，在电极栅线区域形成重掺杂区，同时在非电极栅线区域形成浅掺杂区；所述一次扩散工艺包括如下步骤：（１）进舟...该专利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司授权不得商用。