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本发明提供了一种GaN基LD外延结构，包括衬底、复合缓冲层和复合过渡层，所述复合缓冲层包括依次层叠生长的第一缓冲子层、第二缓冲子层和第三缓冲子层，第一缓冲子层的材质为AlN，第二缓冲子层的材质为Al<subgt;x</subgt...
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