温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种利用掩模在硅片两面实现ｐ＋和ｎ＋扩散的工艺，选取预处理后硅片，在硅片的一面制备掩模，在无掩模的一面扩散施主元素或受主元素形成ｎ＋或ｐ＋扩散层，除去掩模及掺杂玻璃后再在扩散面上制备掩模，并在扩散面的另一面扩散受主元素或施主元素...
该专利属于晶澳太阳能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶澳太阳能有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。