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本发明公开了一种利用三钼酸盐纳米线制备纳米通道的方法，属于纳米技术领域。本发明方法包括：ａ）制备三钼酸盐纳米线；ｂ）将所述纳米线分散在基底上；ｃ）在基底上制备纳米通道壁面材料，所述纳米通道壁面材料覆盖所述纳米线；ｄ）用设定的极性溶剂溶解所述...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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