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本发明涉及单晶硅检测领域，具体涉及一种重掺硼硅单晶轴状位错缺陷的检测方法，该检测方法包括下列步骤：先从待检测的重掺硼晶棒上截取样片，后将该样片放入碱性腐蚀液中进行腐蚀，并在腐蚀结束后清洗该样片；然后在暗室中通过肉眼观察该样片的待测面上是否有...
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