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本发明属于存储器领域，具体涉及一种抗疲劳的铁电电容器、铁电存储电路、铁电存储器及芯片。铁电电容器包括：上电极层、顶电极层、铁电介质层和底电极层，铁电介质层的材料采用ZrO<subgt;2</subgt;、HfO<subgt...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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