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本发明公开了一种日盲光电探测器及其制备方法,其中的日盲光电探测器包括:衬底以及依次设置于衬底上的AlN缓冲层和GaN沟道层;AlGaN势垒层,设置于GaN沟道层上,且AlGaN势垒层和GaN沟道层之间形成二维电子气;AlGaN势垒层覆盖Ga...该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。
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本发明公开了一种日盲光电探测器及其制备方法,其中的日盲光电探测器包括:衬底以及依次设置于衬底上的AlN缓冲层和GaN沟道层;AlGaN势垒层,设置于GaN沟道层上,且AlGaN势垒层和GaN沟道层之间形成二维电子气;AlGaN势垒层覆盖Ga...