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本发明提供了一种具备复合阻挡结构的深紫外发光二极管及其制备方法，深紫外发光二极管包括沿生长方向依次层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，电子阻挡层包括多个周期结构，每个周期结构沿...
该专利属于武汉优炜芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉优炜芯科技有限公司授权不得商用。

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