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本发明公开了一种SGT器件的源极场板引出结构，第一沟槽平行排列于原胞区中，第二至五沟槽连接形成沟槽环并环绕在原胞区周侧。和沟槽中的源极场板连接的第一接触孔位于终端区中，各原胞区中平台区的宽度均匀。在沿各平台区的长度方向上，形成于平台区中的漂...
该专利属于南通尚阳通集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通尚阳通集成电路有限公司授权不得商用。

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