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本说明书实施例提供一种电力半导体元件及其加工装置，其中所述电力半导体元件包括：形成场截止层的第一半导体层、第二半导体层形成于所述第一半导体层上、电荷蓄积层形成于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，且掺杂浓度高于所述第一半导体层和第一栅极...
该专利属于浙江旺荣半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江旺荣半导体有限公司授权不得商用。

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