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本发明涉及一种柔性薄膜记忆晶体管及其制备方法，属于薄膜晶体管技术领域。本发明柔性薄膜记忆晶体管的结构从下至上依次为：柔性衬底、栅电极、栅介质层、半导体复合膜层和源漏电极组；所述半导体复合膜层采用半导体与含金属离子的盐复合制成。相比于两端忆阻...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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