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本发明提出了一种功率器件、电路和制造方法。功率器件电路包括具有第一导电类型的衬底层的半导体衬底，其中第一导电类型与第二导电类型相反。两个或多个横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件形成在衬底层中，并集成到高压阱的隔离区中，其中每个LD...
该专利属于万国半导体国际有限合伙公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体国际有限合伙公司授权不得商用。

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