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本发明公开一种基于MPCVD的单晶金刚石的拼接生长工艺，包括如下步骤：单晶金刚石籽晶打磨；单晶金刚石籽晶的预处理；预处理；重新将腔内抽成真空；再次完成抽真空后，向腔内通入甲烷和氮气，甲烷占腔内总气体体积的5％‑6％，氮气占反应舱内总气体体积...
该专利属于江苏卓远半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏卓远半导体有限公司授权不得商用。

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