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本发明公开了一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT，所述HEMT外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和盖帽层；所述成核层包括依次层叠的BN层和AlN层；所述缓冲层包括依次层叠的碳掺杂YAlGaN层、...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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