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本发明涉及一种功率二极管高压硅堆的PN结结温测量方法，第一步，制作出样品实际ir‑T曲线图；第二步，样品装入实验电路或整机工作电路，施加正常整流或自定工作条件，让样品工作至芯片热平衡；第三步，将样品从正常工作状态立即切换至纯反向工作状态，按...
该专利属于江苏皋鑫电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏皋鑫电子有限公司授权不得商用。

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