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本发明涉及一种具有多层P型埋层调制的PiN型中子探测器及制备方法，中子探测器，包括：多个P型掺杂4H‑SiC埋层，沿竖直方向分布在N型掺杂4H‑SiC外延层中；N型掺杂4H‑SiC主JTE区域，位于N型掺杂4H‑SiC外延层的上表层中；若干...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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