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本发明提供一种金属连接孔及其形成方法，通过在第二介质层和第三介质层中间增加第二刻蚀停止层，也即缓冲层，在刻蚀上层金属层沟槽时，利用第二刻蚀停止层的阻挡作用，避免上层金属层沟槽直角处的第二介质层被等离子体过刻蚀，从而避免形成倾斜的金属连接孔形...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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