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本发明公开了一种嵌入FRD的IGBT器件及其制造方法，属于半导体器件制造技术领域，该嵌入FRD的IGBT器件的制造方法，提供N型掺杂的衬底，衬底中具有沟槽型栅极结构，在沟槽型栅极结构的两侧进行离子注入形成第二P型掺杂区，还在第二P型掺杂区靠...
该专利属于汉轩微电子制造（江苏）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过汉轩微电子制造（江苏）有限公司授权不得商用。

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