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本申请涉及半导体技术领域，公开了一种氮化镓功率器件，包括：高掺杂硅衬底，高掺杂硅衬底上扩散有低掺杂漂移区，低掺杂漂移区上扩散有高掺杂接触区；氮化镓外延结构层，氮化镓外延结构层生长于高掺杂硅衬底的上表面，且沉积有氮化镓栅极区、第一欧姆接触金属...
该专利属于深圳市威兆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市威兆半导体股份有限公司授权不得商用。

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