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本发明属于传感器技术领域，尤其涉及一种压力传感器芯片及其制备方法，包括：弹性膜；四个压敏电阻，四个所述压敏电阻设置在所述弹性膜上；以及电极，四个所述压敏电阻和所述电极形成惠斯通电桥结构。金刚石具有超宽禁带宽度、超高电子迁移率、高硬度和超高热...
该专利属于化合积电（厦门）半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过化合积电（厦门）半导体科技有限公司授权不得商用。

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