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本发明涉及一种提升晶圆级热氧化生长速率的方法，包括如下制备步骤：清洗、进舟、升温稳定、干氧、氢氧合成、干氧、氮气致密、降温、出舟、测试膜厚，其特征在于：在氢氧合成中控制氢气与氧气的流量比为5~6：3~4。本发明的优点：在现有制备工艺的基础上...该专利属于安徽北方微电子研究院集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽北方微电子研究院集团有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种提升晶圆级热氧化生长速率的方法，包括如下制备步骤：清洗、进舟、升温稳定、干氧、氢氧合成、干氧、氮气致密、降温、出舟、测试膜厚，其特征在于：在氢氧合成中控制氢气与氧气的流量比为5~6：3~4。本发明的优点：在现有制备工艺的基础上...