温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本公开涉及一种SOI CMOS器件潜在缺陷测量方法、装置及设备。方法包括获取至少一个SOI CMOS器件的饱和漏极电流和关态漏极电流，根据饱和漏极电流和关态漏极电流的第一比较结果，判断SOI CMOS器件的漏极是否存在潜在损伤；获取至少一个...该专利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））授权不得商用。