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一种降低200mm半导体级单晶硅缺陷的拉晶方法，该方法包括以下步骤：步骤1：设计至少两种用于对200mm半导体级单晶硅进行拉制的热场，得到对应各热场的热场参数；步骤2：分别针对设计的每个热场，利用各热场的热场参数进行仿真模拟，得到仿真模拟结...
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