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本申请实施例涉及一种SiC半导体器件及其制备方法，其中，SiC半导体器件包括：SiC半导体材料层；栅极沟槽，从SiC半导体材料层的上表面延伸到SiC半导体材料层的内部，栅极沟槽包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁；位于栅极沟槽内且靠近第一侧壁的...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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